电子级三溴化硼 一、分子式:BBr3 二、分子量:250.5 三、理化性质: 三溴化硼具有强烈刺激性臭味,常温下为无色或稍带黄色的发烟液体。相对密度2.64,熔点-46℃,沸点91.7℃。溶于四氯化碳,吸水性强,易被水和醇等分解。见光、遇热易分解,受热可能爆炸,接触空气会冒出白烟。为强路易氏酸,能与碱反应形成络合物和加成物。有强刺激作用,腐蚀性较强,蒸气有毒。 四、用途: 电子级三溴化硼用于半导体集成电路、太阳能电池、半导体分离器件等行业中作为P型掺杂源,通过热扩散对晶体硅进行P型掺杂。其次,三溴化硼还是制造高纯硼及其他**硼化物的原料。 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料 Dielectrics PMD/IMD TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB Low K Dielectrics 4MS ,OMCATS High K Dielectrics TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) Metal Gate and Interconnect Metal TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) Low-Temp Nitride/Oxide HCDS Diffusion POCl3 供应半導體化學氣相沉積材料,專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。 CVD Precursor(化学气相沉积材料) TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB CVD Precursor(化學氣相沉積材料) TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。