电子级正硅酸四乙酯/ TEOS 名称 正硅酸四乙酯(TEOS) 化学式 C8H20O4Si 相对分子量 208.33 CAS号 78-10-4 理化性质 无色透明液体,熔点-77℃,沸点168.5℃,密度0.9346g/ml。在空气中较稳定;微溶于水,在纯水中水解缓慢;在酸或碱的存在下能加速水解作用。 主要用途 主要用于晶圆制造过程中的化学气相沉积(CVD)制程,用于生成二氧化硅和氮化硅薄膜。是半导体、分立器件、微机电系统(MEMS)制造所需的电子化学品。 典型应用 CVD类型 材料 APCVD TEOS,O3 LPCVD TEOS PECVD TEOS,O2 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化学气相沉积材料 Dielectrics PMD/IMD TEOS ,TEPO,TMPO,TEB,TMB Low K Dielectrics 4MS ,OMCATS High K Dielectrics TAETO (Ta2O5 Precursor ) TEMAZ (ALD ZrO2 Precursor) TMA (Al2O3 Precursor) Metal Gate and Interconnect Metal TDMAT (TiN Precursor ) TiCl4 ( Ti /TiN Precursor ) Low-Temp Nitride/Oxide HCDS Diffusion POCl3 供应半導體化學氣相沉積材料,專業研發及製造各種先進 CVD/ALD (Chemical Vapr Deposition /Atomic Layer Depostion )化學氣相沉積材料。 CVD Precursor(化学气相沉积材料) TDMAT / InCl3/TEOS/TMB/TEB CVD Precursor(化學氣相沉積材料) TDMAT/TiCl4/TMA/TEASAT/InI/InF3/InCl3/High-K/Low-K Material TEOS,TMB,TEB,TMPO,TEPO,TDMAT,TiCl4等。